Optical and recombination properties of dislocations in cast-mono silicon from short wave infrared luminescence imaging

Daniel Ory; Thibaud Hildebrandt; L. Lombez

doi:10.1063/1.5140245

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2020

Optical and recombination properties of dislocations in cast-mono silicon from short wave infrared luminescence imaging

, , (1, 2, 3)

1
2
3

Daniel Ory

Fonction : Auteur
PersonId : 784775
ORCID : 0000-0002-9640-4901

Thibaud Hildebrandt

Fonction : Auteur

L. Lombez

Fonction : Auteur
PersonId : 180679
IdHAL : laurent-lombez
ORCID : 0000-0001-7895-913X
IdRef : 119458403

Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (UMR)

Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE)

Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque

CV

Domaines

Autre [cond-mat.other]

Fichier principal

JAP Ory 1.pdf (2.04 Mo)

Origine : Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte

Laurent Lombez : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03090687

Soumis le : mardi 29 décembre 2020-23:20:53

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-16:18:56

Archivage à long terme le : mardi 30 mars 2021-20:12:33

Dates et versions

hal-03090687 , version 1 (29-12-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-03090687 , version 1
DOI : 10.1063/1.5140245

Citer

Daniel Ory, Thibaud Hildebrandt, L. Lombez. Optical and recombination properties of dislocations in cast-mono silicon from short wave infrared luminescence imaging. Journal of Applied Physics, 2020, 127, ⟨10.1063/1.5140245⟩. ⟨hal-03090687⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

X ENSCP CNRS PARISTECH IRDEP INC-CNRS PSL EDF IP_PARIS IPVF

79 Consultations

63 Téléchargements

Optical and recombination properties of dislocations in cast-mono silicon from short wave infrared luminescence imaging

Domaines

Dates et versions

Identifiants

Citer

Exporter

Collections

Altmetric

Partager